ISSI Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected, Uniform Sector
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected, Uniform Sector
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSSOP-44 8 Mbit Serial
ISSI NOR-Flash 128Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, T&R, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 128 Mbit SPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit