AP Memory Technology Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 54
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
842Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
Datenblatt
10.862Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

DRAM SMD/SMT USON-8 64 Mbit
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
6.219Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
440Auf Lager
960erwartet ab 21.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 128 Mbit
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
8.912Auf Lager
9.600erwartet ab 21.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Datenblatt
3.233Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
2.746Auf Lager
2.880erwartet ab 21.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
238Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 128 Mbit

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
19Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

DRAM SMD/SMT SOP-8 16 Mbit

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
Datenblatt
23.660erwartet ab 21.12.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

DRAM SMD/SMT SOP-8 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
14.300erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-15 128 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 128 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

DRAM SMD/SMT USON-8 16 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

DRAM SMD/SMT SOP-8 16 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-13 64 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-15 128 Mbit
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit