IRFP460 MOSFETs

Ergebnisse: 7
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
1.469Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
2.840Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
5.172Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Datenblatt
Nein
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube

STMicroelectronics MOSFETs
Datenblatt
Nein
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 220 mOhms - 20 V, 20 V - 65 C + 150 C 220 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 500V 20A
Datenblatt

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 260 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors IRFP460HPBF
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 500V
Datenblatt
563Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 329 W Tube