EPC2207

Name: EPC EPC2207
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2207
Price: 2.94 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

65-EPC2207

Herst.- Nr.:

EPC2207

Herst.:

EPC

Beschreibung:

GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

EPC2207 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	EPC
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LGA-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	4.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	eGaN FET
Technologie:	GaN
Marke:	EPC
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Stiftanzahl:	6
Produkt:	Power Transistor
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	3,800 mg

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Datenblatt

EPC2207 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,94 €	2,94 €
	1,48 €	14,80 €
	1,33 €	133,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,07 €	1.070,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,903 €	2.257,50 €
	0,894 €	4.470,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

EPC2207

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Herst.: EPC

Beschreibung: GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0

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