SiC Halbleiter

Ergebnisse: 867
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1700V, 400A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1200 V, 600 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Gate-Treiber GD3160
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC008H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC010H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC016H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC020H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC030H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

WeEn Semiconductors MOSFET-Module WMSC040H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 120
Mult.: 24

Vishay Semiconductors Diodenmodule MODULES RECTIFIERS - EMIPAK 1B
Datenblatt
Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tamura Gate-Treiber GATE DRIVER (CORE, +15V/,-15V)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120
onsemi IGBT-Module GEN III Q2BOOST 1100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFET-Module APM16-CDB SF3 650V 51MOHM SIC DIODE AL2O3 L-FORMING PFC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi IGBT-Module MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 36
Mult.: 36

onsemi MOSFET-Module SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 47 Wochen
Min.: 28
Mult.: 28

Power Integrations AC/DC-Wandler 1700V 35W (40-1200VDC)
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

Power Integrations AC/DC-Wandler 35W 1700V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1.800
Mult.: 1.800
: 1.800