PSRAM (Pseudo SRAM) Halbleiter

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 490
Mult.: 490

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1