PowerSaver Halbleiter

Arten von Halbleitern

Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 180
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 721Auf Lager
1.000erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 595Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 16Mb 45ns 1Mx16/2Mx8 Async SRAM 2.2V-3.6 1.222Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 680Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR 835Auf Lager
348erwartet ab 26.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS61WV102416DBLL-10BLI
ISSI SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns 785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 290Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns Async SRAM 3.3v 146Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 1Mbx8 45ns 6Auf Lager
540erwartet ab 10.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 28Auf Lager
1.080Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 161Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS61WV102416DBLL-10TLI
ISSI SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns 84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
1.392erwartet ab 21.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
239erwartet ab 12.07.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
323erwartet ab 26.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480