TO-247-4 Halbleiter

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onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
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onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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onsemi MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
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Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
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GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
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onsemi IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240erwartet ab 03.09.2026
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Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
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onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
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