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Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3.380
Mult.: 3.380

Infineon Technologies S29GL064S80BHB043
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Infineon Technologies S29GL064S80TFB043
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Macronix MX25U6432FBBJ02-TR
Macronix NOR-Flash Serial NOR 1.8V 64Mbit x4 I/O WLCSP-14 +105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 6.000
Mult.: 6.000
: 6.000
Macronix MX25UW6345GBEI00-TR
Macronix NOR-Flash Serial NOR 1.8V 64Mbit x8 I/O WLCSP-29 RWW Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
Everspin Technologies IC-Entwicklungstools für Speicher Everspin EMxxLX 64 Mb MRAM PMOD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology SST26LF064-80-RT/SM-HP
Microchip Technology NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected, Uniform Sector Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500
ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected, Uniform Sector Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

ISSI NOR-Flash 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500