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Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Ultra Wide Vcc (1.65V to 4.4V), -40C to 85C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
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: 4.000

Microchip Technology EPROM 4Mb (512Kx8) OTP 3V 90ns
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Microchip Technology NOR-Flash 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
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Microchip Technology EPROM 90NS, PLCC, IND TEMP, GREEN
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onsemi LE25U40PCMC-AH-1
onsemi NOR-Flash 4M BIT FLASH MEMORY
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
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GigaDevice NOR-Flash 4Mbit NOR-Flash /1.8v /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R
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Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
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2.000erwartet ab 13.08.2026
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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Microchip Technology NOR-Flash 2.7 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
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Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
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Microchip Technology NOR-Flash 4Mb, 2.3V to 3.6V, SPI,SDI,SQI, 104MHz, I temp, 8-DFN
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Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, 264 Byte Binary Page Mode, SOIC-N 150mil (Tube), Single SPI DataFlash
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Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Ultra Wide Vcc (1.65V to 4.4V), -40C to 85C, DFN 2x3 (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
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: 5.000

Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, 264 Byte Binary Page Mode, SOIC-W 208mil (Tube), Single SPI DataFlash
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Microchip Technology NOR-Flash 256K X 16 70ns
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Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
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NXP Semiconductors EEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
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Alliance Memory NOR-Flash NOR-Flash(Micron) , PARALLEL, 4Mb, TSOP 48PIN, 55ns, -40 +125 C, BOTTOM, Tape and Reel
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: 1.500

Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
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Renesas Electronics SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM
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