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Microchip Technology SST39SF020A-55-4I-TU
Microchip Technology NOR-Flash 4.5V to 5.5V 2Mbit Multi-Purpose Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 468
Mult.: 234
Microchip Technology SST39SF020A-70-4C-TU
Microchip Technology NOR-Flash 4.5V to 5.5V 2Mbit Multi-Purpose Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology SST39SF020A-70-4I-TU
Microchip Technology NOR-Flash 4.5V to 5.5V 2Mbit Multi-Purpose Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 468
Mult.: 234
Infineon Technologies CY15B102N-ZS60XM
Infineon Technologies F-RAM A&D
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 270
Mult.: 270

Infineon Technologies FM25V20A-DGTR
Infineon Technologies F-RAM 2Mb, 40Mhz, 256K x 8 SPI FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Infineon Technologies FM28V202A-TGTR
Infineon Technologies F-RAM 2Mb, 60Mhz 128K x 16 FRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000


ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V Async SRA Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500


ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500