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Menge RoHS
GigaDevice NOR-Flash 16Mbit NOR-Flash /2.5V /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R
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: 3.000

GigaDevice NOR-Flash 16Mbit NOR-Flash /2.5V /USON8 3*2mm 0.45mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R
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: 3.000

GigaDevice NOR-Flash 16Mbit NOR-Flash /2.5V /SOP8 208mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R
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Min.: 2.000
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: 2.000

GigaDevice NOR-Flash 16Mbit NOR-Flash /2.5V /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R
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Microchip Technology NOR-Flash 16M 80MHz 2.7-3.6V Industrial
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Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 392
Mult.: 98

Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Nein
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
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: 2.000
Nein
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
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: 2.000
Nein
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800
Nein
Infineon Technologies SRAM ASYNC
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GigaDevice GD25B16ENAGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GigaDevice GD25B16ETAGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GigaDevice GD25LE16E3IGR
GigaDevice NOR-Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.000
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: 3.000
GigaDevice GD25LE16ELIGR
GigaDevice NOR-Flash
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Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
GigaDevice GD25LF16EE2GR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GigaDevice GD25LF16ET2GR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GigaDevice GD25LF16ETAGR
GigaDevice NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GigaDevice GD25LQ16ENEGR
GigaDevice NOR-Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
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: 3.000

GigaDevice GD25LQ16ESEGR
GigaDevice NOR-Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
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: 2.000

GigaDevice GD25WQ16EEJGR
GigaDevice NOR-Flash
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Mult.: 1
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GigaDevice GD25WQ16ESIG
GigaDevice NOR-Flash
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Min.: 9.500
Mult.: 1
GigaDevice GD25WQ16ESJG
GigaDevice NOR-Flash
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: 2.000

GigaDevice GD25WQ16ETIG
GigaDevice NOR-Flash
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Min.: 1
Mult.: 1
Renesas / Dialog AT45DB161E-SHFKA-T
Renesas / Dialog NOR-Flash 16 Mbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, 528 Byte Binary Page Mode, SOIC-W 208mil (Tape & Reel), Single SPI DataFlash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
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Mult.: 2.000
: 2.000

Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1