MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
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STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
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2.000erwartet ab 12.02.2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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1.988erwartet ab 21.05.2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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61Auf Lager
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
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860Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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113Auf Lager
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Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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916Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
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903Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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127Auf Lager
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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68Auf Lager
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Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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1.000erwartet ab 05.02.2027
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
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1.950erwartet ab 26.08.2026
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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Vorlaufzeit 26 Wochen
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
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Min.: 1.000
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 600
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.000
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Vorlaufzeit 24 Wochen
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8