SiC-MOSFETs – Mouser Deutschland

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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

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Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Qualifikation
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: 11,70 € 538Auf Lager 1.000erwartet ab 09.03.2027	Herst. Teilenr. SCT027H65G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	538Auf Lager 1.000erwartet ab 09.03.2027	Cut-Tape 11,70 € 6,66 € 6,64 € Reel 6,28 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: 10,00 € 457Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT040W65G3-4 Mouser-Teilenr. 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	457Auf Lager	10,00 € 5,48 € 5,11 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,54 € 429Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT040W65G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	429Auf Lager	11,54 € 7,71 € 7,16 € 6,17 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: 7,87 € 1.404Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT055TO65G3 Mouser-Teilenr. 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	1.404Auf Lager	Cut-Tape 7,87 € 4,31 € 4,03 € 3,73 € Reel 3,73 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: 14,25 € 26Auf Lager 1.000erwartet ab 29.01.2027	Herst. Teilenr. SCT018H65G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	26Auf Lager 1.000erwartet ab 29.01.2027	Cut-Tape 14,25 € 8,57 € Reel 8,10 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: 10,88 € 620Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT040H65G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	620Auf Lager	Cut-Tape 10,88 € 6,35 € 6,27 € 5,95 € Reel 5,39 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: 8,86 € 8Auf Lager 1.800erwartet ab 29.01.2027	Herst. Teilenr. SCT040TO65G3 Mouser-Teilenr. 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Datenblatt	8Auf Lager 1.800erwartet ab 29.01.2027	Cut-Tape 8,86 € 5,56 € 5,07 € 4,36 € Reel 4,36 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,76 € 1Auf Lager 600erwartet ab 05.02.2027	Herst. Teilenr. SCT055W65G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Mehr erfahren über STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Datenblatt	1Auf Lager 600erwartet ab 05.02.2027	11,76 € 8,22 € 7,33 € 6,27 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 14,92 € 600erwartet ab 30.07.2027	Herst. Teilenr. SCT018W65G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Datenblatt	600erwartet ab 30.07.2027	14,92 € 8,69 € 8,49 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: 13,55 € Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. SCT018H65G3-7 Mouser-Teilenr. 511-SCT018H65G3-7 Neues Produkt	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen	Cut-Tape 13,55 € 8,03 € Reel 7,60 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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