Bipolartransistoren DXTN/P 78Q & 80Q

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q und 80Q Bipolartransistoren bieten 30 V, 60 V und 100 V Nennwerte, liefern eine außergewöhnliche Leitfähigkeit und thermische Leistung für anspruchsvolle Schalt- und -Steuerungsanwendungen in der Fahrzeugindustrie. Die ultraniedrigen VCE(SAT) NPN- und PNP- Bipolartransistoren eignen sich ideal für 12 V, 24 V und 48 V-Systeme und unterstützen Applikationen wie z. B. MOSFET und IGBT GATE Lastschaltung, LDO Regelung, DC/DC -Wandlung und Motor-/Aktuator -Steuerung.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1.970Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 140 mV 2.4 W 260 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1.656Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 135 mV 2.4 W 250 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.221Auf Lager
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
3.319Auf Lager
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Max.: 332
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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3.658Auf Lager
Min.: 1
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Max.: 366
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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3.985Auf Lager
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Max.: 399
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.914Auf Lager
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 170 mV 2.4 W 315 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1.906Auf Lager
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 220 mV 2.4 W 320 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.001Auf Lager
5.499erwartet ab 09.04.2027
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Max.: 869
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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3.122Auf Lager
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.990Auf Lager
2.000erwartet ab 21.10.2026
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Max.: 399
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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133Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 165 mV 2.4 W 290 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape