TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 bietet ein umfangreiches 1.200 V Portfolio für alle Industrieapplikationen, die Kurzschlussfestigkeit/Robustheit erfordern. Der IGBT7 S7 ist ein effizienter, kurzschlussfester, robuster diskreter IGBT, der eine um mindestens 10 % niedrigere Sättigungsspannung als andere bietet.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1.112Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
599Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
715Auf Lager
285Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
1.570Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
305Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
176Auf Lager
240erwartet ab 29.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
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1.708Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
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686Auf Lager
240erwartet ab 31.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
479Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
120Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Datenblatt
1.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
1.678Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
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475erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube