CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650-V-Leistungstransistoren verfügen über die hocheffiziente GaN(Galliumnitrid)-Transistor-Technologie für eine Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich bis 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Modus-Konzept mit hohen End-to-End-Produktionsvolumina zur Reife. Diese wegweisende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet die zuverlässigste Leistung. Die CoolGaN™ Gen 2 650-V-Anreicherungsmodus-Leistungstransistoren verbessern Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schnellem Schalten.