DMTH4004 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Die n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs DMTH4004 von Diodes Inc. sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON) ausgelegt. Diese MOSFETs sind ideal für hohe Umgebungstemperaturen und für bis zu 175 °C ausgelegt. Die n-Kanal-MOSFETs sind 100 % UIS-geprüft (en: Unclamped Inductive Switching) in der Produktion, so dass eine zuverlässige und robuste Endanwendung gesichert werden kann. Diese MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung von 40 V und minimieren Schaltverluste. Die MOSFETs DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ, und DMTH4004LK3 der DMTH4004-Baureihe wurden entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobil-Applikationen zu erfüllen. Diese MOSFETs sind alle PPAP-fähig (Produktionsteil-Abnehmverfahren) und nach AEC-Q101 zugelassen. Die MOSFETs der DMTH4004-Baureihe eignen sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und in DC/DC-Wandlern.

Ergebnisse: 9
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2.381Auf Lager
Cut-Tape
1,83 €
0,886 €
0,778 €
0,617 €
Reel
0,491 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2.363Auf Lager
Cut-Tape
1,78 €
0,851 €
0,747 €
0,593 €
Reel
0,471 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 2.370Auf Lager
Cut-Tape
1,88 €
0,903 €
0,807 €
0,64 €
Reel
0,526 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 383Auf Lager
Cut-Tape
2,18 €
1,07 €
0,937 €
0,717 €
Reel
0,717 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 30Auf Lager
Cut-Tape
2,69 €
1,42 €
1,20 €
0,92 €
Reel
0,92 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Reel
0,56 €
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Reel
0,571 €
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Cut-Tape
2,21 €
1,42 €
0,972 €
0,819 €
0,725 €
Reel
0,701 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Reel
0,737 €
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel