SyncBurst SRAMs

Die SyncBurst SRAMs von GSI Technology gehören zu einem umfassenden Portfolio synchroner Burst-SRAMs (SyncBurst™) mit hoher Taktrate und geringer Leistungsaufnahme. SyncBurst SRAMs liefern einen „Burst“ von (typischerweise) 2 bis 4 Wörtern pro Taktsignal. Die vereinfachte Schnittstelle des Gerätes ist für die Nutzung der maximalen Bandbreite des Datenbus designt. SyncBurst SRAMs werden in Militär-, Netzwerk-, Industrie-, Automobil- und medizinischen Bildgebungsapplikationen verwendet, die eine mittlere Leistung voraussetzen.
Mehr erfahren

Ergebnisse: 2.420
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Datenblatt
36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 1 M x 72 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 540 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
37Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
1.364Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
36erwartet ab 25.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
42erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
36erwartet ab 25.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 8 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 460 mA, 510 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 220 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 14
Mult.: 14
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray