1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden

Die 1200-V-Trench-XPT™-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) und Schalldioden von Littelfuse werden mit der XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und den Trench-IGBT-Verfahren entwickelt. Die Transistoren verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand und sind für geringe Schaltverluste optimiert. Die 1200-V-Trench-XPT-IGBTs mit Schalldioden von Littelfuse bieten eine hohe Strombelastbarkeit, eine hohe Leistungsdichte und eine antiparallele Schalldiode. Diese Trench-XPT-Transistoren eignen sich hervorragend für Wechselrichter, Motorantriebe, Blindleistungskompensations-Schaltungen (Power Factor Correction, PFC) und Batterieladegerät-Applikationen.

Arten von diskreten Halbleitern
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IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
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629Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1
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965Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1
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288Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1
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321Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1
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363Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1
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315Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT-Module IXYN110N120B4H1
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231Auf Lager
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT-Module IXYN110N120C4H1
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98Auf Lager
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT-Module IXYN85N120C4H1
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600Auf Bestellung
Min.: 1
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B