BSS84X HZG Kleinsignal-MOSFET

Der HZG-Kleinsignal-MOSFETs der Baureihe BSS84X von ROHM Semiconductor werden in einem extrem kleinen, unbedrahteten Gehäuse mit einem freiliegenden Drain-Pad für eine ausgezeichnete Wärmeleitung angeboten. Der HZG-Kleinsignal-MOSFET der Baureihe BSS84X verfügen über eine Drain-Source-Spannung von -60 V, einen Dauersenkenstrom von ± 230 mA und eine Verlustleistung von 1,0 W. Der HZG-MOSFET BSS84X ist ausgelegt für Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber-Applikationen.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs AECQ
Datenblatt
296Auf Lager
24.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
Datenblatt
4.164Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
Datenblatt
16.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape