i.MX RT1060 Crossover-Mikrocontroller

NXP Semiconductors i.MX RT1060 Crossover-Mikrocontroller (MCUs) sind Teil der EdgeVerse™ Edge-Computing-Plattform und erweitern die i.MX RT-Baureihe auf drei skalierbare Produktfamilien. Der i.MX RT1060 MCU erhöht den On-Chip-SRAM auf 1 MB, während gleichzeitig eine Pin-zu-Pin-Kompatibilität mit dem i.MX RT1050 MCU aufrechterhalten wird. Diese Baureihe führt zusätzliche Funktionen ein, die sich hervorragend für Echtzeit-Applikationen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-GPIO, CAN-FD und synchrone parallelgeschaltete NAND/NOR/PSRAM-Controller eignen. Das i.MX RT1060 Bauteil läuft auf dem ARM® Cortex®-M7-Core mit 600 MHz.

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Menge RoHS
ISSI NOR-Flash 64Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NOR-Flash 64Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI NOR-Flash 64Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI NOR-Flash 128Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI NOR-Flash 128Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NOR-Flash 128Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI NOR-Flash 256Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI NOR-Flash 512Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI NOR-Flash 512Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 256Mb 1.8V/3.0V SERIAL PSRAM MEMORY WITH 200MHZ DTR OPI (OCTAL PERIPHERAL INTERFACE) PROTOCOL
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

ISSI IS66WVO32M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
ISSI IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
ISSI IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
ISSI IS66WVO32M8DBLL-133BLI
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1