NTMTSC1D5N08MC

onsemi
863-NTMTSC1D5N08MC
NTMTSC1D5N08MC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
80 V
287 A
1.56 mOhms
20 V
4 V
101 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 219 S
Max. Löttemperatur: + 260 C
Stiftanzahl: 8
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 24 ns
Serie: NTMTSC1D5N08MC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 69 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
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Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTMTSC1D5N08MC Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMTSC1D5N08MC Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-Dual-COOL®-MOSFET mit einem kleinen Footprint (8 mm x 8 mm) für kompakte Designs. Dieser MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V und einen Drain-Strom von 287 A. Der NTMTSC1D5N08MC MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige QG und eine niedrige Kapazität aus, um Treiberverluste zu minimieren. Dieser MOSFET eignet sich für Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, BMS/Speicher und Heimautomation.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. onsemi stellt eine große Auswahl von VFD-Halbleiterkomponenten her, einschließlich Gate-Treiber, MOSFETs, IGBTs und EliteSiC.

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