NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verwenden die leistungsstarke abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie für einen extrem niedrigen RDS(on). Diese Einkanal-MOSFETs von onsemi bieten ein geringes Schaltrauschen/EMI und ein vollständig UIL-getestetes robustes MSL1-Gehäusedesign. Die NTTFSxD1N0xHL MOSFETs sind in einem bleifreien, halogenfreien/BFR-freien und RoHs-konformen WDFN8-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Abwärtswandler, Punktlast, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, O-Ring-FETs, DC/DC-Netzteile und synchrone MV-Abwärtswandler.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
Datenblatt
3.632Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1.500
: 3.000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
Datenblatt
1.318Auf Lager
3.000erwartet ab 10.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
Datenblatt
141Auf Lager
6.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel