1.200-V-CoolSiC™-Module

Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies Diodenmodule 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
Datenblatt
21Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Diode Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Datenblatt
40erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Datenblatt
72erwartet ab 08.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies MOSFET-Module Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Datenblatt
120Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Gleichrichter THYR / DIODE MODULE DK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2
Mult.: 2

Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

IGBT Modules SiC, Si