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CGHV96100F2

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGHV96100F2

Herst.- Nr.:

CGHV96100F2

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Datenblatt:

CGHV96100F2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440210
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	CGHV96100F2-TB
Verstärkung:	12.4 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	9.6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	7.9 GHz
Ausgangsleistung:	131 W
Verpackung:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V
Gewicht pro Stück:	65,235 g

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Datenblatt

CGHV96100F2 Datenblatt (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
Weitere Informationen

Wolfspeed CGHV96100F2 GaN-HEMT

Der CGHV96100F2 GaN-HEMT auf Siliziumkarbid(SiC)-Substraten von Wolfspeed ist ein intern abgestimmter (Internally Matched, IM) GaN-FET, der einen hervorragenden leistungserweiterten Wirkungsgrad im Vergleich zu anderen Technologien bietet. GaN hat bessere Eigenschaften als Silizium oder Gallium-Arsenid, einschließlich eine höhere Durchschlagspannung, gesättigte Elektronen-Drift-Geschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Darüber hinaus bieten GaN-HEMTs eine höhere Leistungsdichte und größere Bandbreiten im Vergleich zu GaAs-Transistoren. Dieser IM-FET ist in einem Metall-/Keramik-Flanschgehäuse für eine optimale elektrische und thermische Leistung erhältlich.

X-Band GaN-HEMTs und MMICs

Die breiten Banklücken der X-Band GaN-HEMTs und MMICs von Wolfspeed/Cree erhöhen die Durchschlagfeldstärke um das Fünffache und die Leistungsdichte um einen Faktor von 10 bis 20 gegenüber vergleichbaren GaAs-basierten Geräten. GaN-Komponenten von Cree sind kleiner und haben eine geringere Kapazität für dieselbe Betriebsleistung. Dies bedeutet, dass Verstärker über eine größere Bandbreite arbeiten können und eine sehr gute Eingangs- und Ausgangsanpassung zeigen. Aufgrund der bedeutenden Vorteile der GaN HEMTs und MMICs werden ineffiziente GaAs pHEMTs und unzuverlässige Wanderfeldröhren immer weniger in X-Band-Leistungsverstärkern eingesetzt.
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