1.200-V-SiC-MOSFETs

Nexperia 1200 V SiC-MOSFETs sind in einem QDPAK-Gehäuse (Kühlung auf der Oberseite) untergebracht und für Fahrzeug- und Industrie-Leistungsumwandlungssysteme ausgelegt, die einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und eine robuste thermische Leistung erfordern. Diese Bauteile kombinieren die SiC-Schaltleistung mit einer von oben gekühlten Gehäusearchitektur und bieten so einen direkten Wärmepfad vom Chip zum Kühlkörper. Dies verringert die Abhängigkeit von der PCB-Wärmeverteilung und unterstützt einfachere, effektivere Kühlkonzepte in kompakten Designs. Typische Applikationen umfassen EV-On-Board-Ladegeräte, DC/DC-Wandler, Traktions- und Hilfswechselrichter, EV-Ladeinfrastruktur, erneuerbare Energiesysteme und eine leistungsstarke AC-DC-/DC/DC-Wandlung.