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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
Datenblatt
8.652Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
Datenblatt
2.101Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
648Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 2.19 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 31 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
180Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16.7 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 91 nC - 40 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
121Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.22 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 23 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
159Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.8 A 460 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
105Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 2.19 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel