Automotive-Leistungs-MOSFETs

Die Automotive-Leistungs-MOSFETs von onsemi verfügen über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine/n niedrige/n Qg/Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Diese MOSFETs senken Schaltverluste/elektromagnetische Störungen (EMI). Diese Automotive-Leistungs-MOSFETs werden in einem TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) für effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung geliefert. Diese MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig. Diese Bauteile eignen sich für Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, unbemannte Luftfahrzeuge (UAV)/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs T6 40V LL
Datenblatt
8.802Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs T6 40V SG
Datenblatt
1.447Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi MOSFETs T6 40V LL
Datenblatt
10.243Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Datenblatt
67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs T6 40V SG
Datenblatt
749Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Datenblatt
111Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
Datenblatt
2.000erwartet ab 03.11.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 570 uOhms 20 V 4 V 185 nC - 55 C + 175 C 198.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
Datenblatt
940erwartet ab 12.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 187 A 4.4 mOhms 20 V 4.5 V 90.4 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Datenblatt
288Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 72
Mult.: 72

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube