GaN FETs – Mouser Deutschland

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Ergebnisse: 2

Angewendete Filter:

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Kanalmodus

Handelsname

Technologie

Alle zurücksetzen

Suche innerhalb der Ergebnisse

Auf Lager

Normalerweise auf Lager

Aktiv

Neue Produkte

RoHS-konform

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Auswählen	Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	RoHS	ECAD Model	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Kanalmodus	Handelsname	Technologie
	GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: 6,62 € 16.273Auf Lager 6.000erwartet ab 04.11.2026 Neues Produkt	Herst. Teilenr. EPC2367 Mouser-Teilenr. 65-EPC2367 Neues Produkt	EPC	GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN Mehr erfahren über EPC 2367 egan fets	Datenblatt	16.273Auf Lager 6.000erwartet ab 04.11.2026	Cut-Tape 6,62 € 3,60 € 3,30 € 3,14 € 2,80 € Reel 2,52 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	GaN FETs 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 1: 6,08 € Nicht auf Lager Neu bei Mouser	Herst. Teilenr. EPC2367A Mouser-Teilenr. 65-EPC2367A Neu bei Mouser	EPC	GaN FETs 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. Mehr erfahren über EPC 2367 egan fets	Datenblatt	Nicht auf Lager	6,08 € 4,07 € 3,27 € 2,91 € 2,34 €	Min.: 1 Mult.: 1

Angewendete Filter:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support