STD25NF20

STMicroelectronics
511-STD25NF20
STD25NF20

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
18 A
125 mOhms
20 V
2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 30 ns
Serie: STD25NF20
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Singapur
Herstellungsland:
Singapur
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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STripFET I™ Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STrip-FET™-Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFETs, die vom einzigartigen „Einzelfunktionsgrößen“-Strip-basierten Verfahren profitieren. Dadurch wird die Anzahl der kritischen Anpassungsschritte reduziert, um eine hervorragende Reproduzierbarkeit zu ermöglichen. Das Ergebnis ist ein Transistor mit extrem hoher Packungsdichte für einen niedrigen Einschaltwiderstand, robuste Stoßentladungseigenschaften und eine geringe Gate-Ladung. Das Bauteil eignet sich dadurch hervorragend für Automotive-Schaltapplikationen.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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Gehäuse:
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Preis (EUR)

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Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
1,99 € 1,99 €
0,963 € 9,63 €
0,869 € 86,90 €
0,686 € 343,00 €
0,664 € 664,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0,581 € 1.452,50 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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