RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die 60-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs RH7L04 von ROHM Semiconductor sind AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±40 A. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] und sind in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse erhältlich. Die RH7L04 MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich ideal für Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
Datenblatt
2.941Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.4 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
Datenblatt
2.674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
Datenblatt
3.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms 20 V 4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape