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UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 59.28 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UG3SC120009K4S

Herst.- Nr.:

UG3SC120009K4S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO

Datenblatt:

UG3SC120009K4S Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V to 25 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	6 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Pd - Verlustleistung:	789 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UG3S
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

UG3SC120009K4S Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Combo-FETs

Die onsemi Combo-FETs sind revolutionäre Bauteile, die einen SiC-JFET von onsemi mit niedrigem R_DS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren. Diese Combo-FETs sind ausdrücklich für Niederfrequenz-Schutzapplikationen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter, Batterietrennschalter und Überspannungsschutz ausgelegt und ermöglichen Benutzern den Zugriff auf das JFET-Gate zur Optimierung des Designs. Die Integration des Si-MOSFETs in diese Combo-FETs von onsemi gewährleistet eine normalerweise ausgeschaltete Lösung, die eine Größenreduzierung von über 25 % im Vergleich zu diskreten Implementierungen ermöglicht.

Elektrische landwirtschaftliche Nutzfahrzeuge (eCAVs)

Elektrische landwirtschaftliche Nutzfahrzeuge (eCAVs) von onsemi verändern die moderne Landwirtschaft grundlegend und ersetzen Diesel- und Benzinmotoren durch batterieelektrische, hybridelektrische und Antriebe mit größerer Reichweite in Traktoren, Erntemaschinen, Sprühgeräten, Ladern, Mehrzweck- und Transportfahrzeugen sowie autonomen Feldrobotern. Fortschritte bei Lithium-Ionen- und LFP-Batterien, staatliche Anreize, steigende Kraftstoff- und Wartungskosten sowie zunehmender Druck zur Emissionsreduzierung haben dazu beigetragen, dass der weltweite eCAV-Markt von 2,0 Milliarden USD im Jahr 2025 auf 4,63 Milliarden USD im Jahr 2031 anwächst, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) 14,99 % entspricht. Das Ergebnis sind leisere, wartungsärmere Maschinen, die sofortiges Drehmoment, regeneratives Bremsen und niedrigere Betriebskosten pro Stunde bieten.

UG3SC Kombi-FET von 1.200 V, 7,6 mΩ

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UG3SC120009K4S

Herst.: onsemi

Beschreibung: JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO

Technische Daten

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Produkt- und Handelskonformität

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