MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 288 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 53 A (Tc = 25 °C). Die MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in TO-247AD-3L-, TO-247AD-4L- und TO-263-7L-Gehäusen erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

Ergebnisse: 17
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 800Auf Lager
10,52 €
7,61 €
6,34 €
5,82 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 25.11.2026
11,09 €
8,11 €
7,04 €
6,11 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 25.11.2026
10,99 €
8,03 €
6,98 €
6,05 €
5,94 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799erwartet ab 14.04.2027
8,77 €
6,20 €
5,16 €
4,60 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599erwartet ab 14.04.2027
9,51 €
6,09 €
5,29 €
4,76 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799erwartet ab 14.04.2027
7,99 €
5,46 €
4,50 €
4,01 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
583erwartet ab 14.04.2027
8,72 €
5,45 €
4,70 €
4,20 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 14.04.2027
9,24 €
5,13 €
4,74 €
4,13 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800erwartet ab 14.04.2027
Cut-Tape
7,28 €
3,95 €
3,63 €
3,02 €
Reel
3,02 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 14.04.2027
13,64 €
7,88 €
7,33 €
6,88 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800erwartet ab 02.12.2026
10,72 €
7,98 €
6,65 €
5,93 €
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 07.12.2026
11,45 €
8,41 €
7,34 €
6,35 €
6,24 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800erwartet ab 09.12.2026
Cut-Tape
9,86 €
5,51 €
5,31 €
4,51 €
Reel
4,51 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 07.12.2026
9,81 €
6,37 €
5,54 €
4,99 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800erwartet ab 02.12.2026
Cut-Tape
9,04 €
5,01 €
4,74 €
4,03 €
Reel
4,03 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 09.12.2026
8,93 €
5,68 €
4,93 €
4,35 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600erwartet ab 14.04.2027
14,17 €
8,21 €
7,65 €
7,23 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement