Standardmäßige n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

IXYS Standard-Baureihe 500-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-MOSFETs, die eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten erfordern. Die Module bleiben in oder über der Gate-Nullvorspannung, weisen aber sonst ähnliche Eigenschaften wie MOSFETs auf. Die Baureihe eignet sich hervorragend für die Pegelverschiebung, Solid State Relais, Stromregler und aktive Lasten.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
IXYS MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
Datenblatt
280Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
Datenblatt
3.125Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
Datenblatt
1.343Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
Datenblatt
650erwartet ab 11.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
Datenblatt
350erwartet ab 22.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube