PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren

PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren mit niedrigerVCEsat von Nexperia bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und eine hohe Kollektorstromfähigkeit. Die PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren bieten einen höheren Wirkungsgrad, was zu geringerer Wärmeerzeugung führt. Die Transistoren mit niedriger VCEsat sind in einem bleifreien kleinen SMD-Kunststoffgehäuse DFN2020D-3 (SOT1061D) mit sicht- und lötbaren Seitenpads erhältlich

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT PBSS5350PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Datenblatt
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT PBSS4350PAS/SOT1061/HUSON3
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 370 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT PBSS5350PAS/SOT1061/HUSON3
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT PBSS5250PAS-Q/SOT1061/HUSON3
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT PBSS4350PAS-Q/SOT1061/HUSON3
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 370 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT PBSS5250PAS/SOT1061/HUSON3
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 5 A 50 V 50 V 5 V 380 mV 2 W 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel