UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs

Die SiC-FETs von Onsemi  UF4C/SC 1.200 V Gen 4 sind eine Hochleistungsserie, die die branchenweit besten Leistungszahlen (Figures of Merit) liefert. Die UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FETs sind ideal für Mainstream 800 V Bus-Architekturen in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, industrielle Batterieladegeräte, industrielle Stromversorgungen, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, Schweißmaschinen, USV und Induktionsheizungsanwendungen. Die Baureihe der 4. Generation ist in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, bei der ein leistungsstarker SiC-JFET mit einem kaskodenoptimierten Si-MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein SiC-Bauteil mit Standard-Gate-Drive zu erstellen. Diese Eigenschaft ermöglicht ein flexibles Design ohne Änderung der Gate-Treiberspannung, so dass Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs oder Si Super-Junction-Bauelemente problemlos ersetzt werden können.