MOSFET-Module – Mouser Deutschland

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NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC-SiC-MOSFET- Module sind mit einer SiC-M3S-MOSFET-Vollbrückenkonfiguration von 11 mΩ/1.200 V ausgestattet. Die Module integrieren einen Thermistor und einen HPS-DBC in einem F2-Gehäuse und ermöglichen so kompakte Leistungswandlungsdesigns mit hohem Wirkungsgrad. Das NXH011F120M3F2 von onsemi bietet zwei Arten von vorab angebrachtem Wärmeableitungsmaterial sowie eine Ausführung ohne vorab angebrachtes TIM. Die Module verfügen außerdem über Press-Fit-Pins, sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform für die Integration von Leistungsmodulen.

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Auswählen	Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	RoHS	ECAD Model	Technologie	Montageart	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Verpackung
	MOSFET-Module 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package NXH015F120M3F1P1TG onsemi 1: 66,00 € 28Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. NXH015F120M3F1P1TG Mouser-Teilenr. 863-H015F120M3F1P1TG Neues Produkt	onsemi	MOSFET-Module 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package Mehr erfahren über onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Datenblatt	28Auf Lager	66,00 €	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	77 A	19 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	198 W	Tray
	MOSFET-Module Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package NXH011F120M3F2P1THG onsemi 1: 130,57 € 20erwartet ab 24.11.2026 Neues Produkt	Herst. Teilenr. NXH011F120M3F2P1THG Mouser-Teilenr. 863-011F120M3F2P1THG Neues Produkt	onsemi	MOSFET-Module Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package Mehr erfahren über onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Datenblatt	20erwartet ab 24.11.2026	130,57 €	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	105 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	244 W	Tray
	MOSFET-Module Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package NXH011T120M3F2P1THG onsemi 1: 114,29 € 20erwartet ab 24.11.2026 Neues Produkt	Herst. Teilenr. NXH011T120M3F2P1THG Mouser-Teilenr. 863-011T120M3F2P1THG Neues Produkt	onsemi	MOSFET-Module Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package Mehr erfahren über onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Datenblatt	20erwartet ab 24.11.2026	114,29 €	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	91 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	272 W	Tray
	MOSFET-Module EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PG onsemi 1: 62,52 € 28erwartet ab 16.02.2027 Neues Produkt	Herst. Teilenr. NXH006P120M3F1PG Mouser-Teilenr. 863-NXH006P120M3F1PG Neues Produkt	onsemi	MOSFET-Module EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Mehr erfahren über onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Datenblatt	28erwartet ab 16.02.2027	62,52 €	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	200 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	333 W	Tray
	MOSFET-Module EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: 71,30 € 28erwartet ab 16.02.2027 Neues Produkt	Herst. Teilenr. NXH006P120M3F1PNG Mouser-Teilenr. 863-XH006P120M3F1PNG Neues Produkt	onsemi	MOSFET-Module EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Mehr erfahren über onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Datenblatt	28erwartet ab 16.02.2027	71,30 €	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W	Tray
	MOSFET-Module EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: 69,03 € 28erwartet ab 16.02.2027 Neues Produkt	Herst. Teilenr. NXH008P120M3F1PNG Mouser-Teilenr. 863-XH008P120M3F1PNG Neues Produkt	onsemi	MOSFET-Module EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Mehr erfahren über onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Datenblatt	28erwartet ab 16.02.2027	69,03 €	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	Tray