SCT3x SiC-Trench-MOSFETs der 3. Generation

Die SiC-Trench-MOSFETs der SCT3x-Baureihe von ROHM Semiconductor nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den ON-Widerstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Dies führt zu deutlich niedrigeren Schaltverlusten und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten und verbessert den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Reduzierung der Verlustleistung in einer Vielzahl von Geräten. Das Produktsortiment umfasst 650-V- und 1.200-V-Varianten für eine breite Anwendbarkeit.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
393Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
Datenblatt
195Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N
Datenblatt
5Auf Lager
450erwartet ab 11.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datenblatt
106Auf Lager
1.350erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datenblatt
4.934Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101