RGSx0TSX2x Field-Stop-Trench-IGBTs

Die Field Stop Trench IGBTs RGSx0TSX2x von ROHM Semiconductor sind 10 µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Insulated Gate Bipolar Transistoren, die für allgemeine Wechselrichter-, USV-, PV-Wechselrichter- und Power Conditioner-Applikationen geeignet sind. Die RGSx0TSX2x IGBTs bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer reduzierten Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
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486Auf Lager
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
802Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
711Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
868Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
886Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
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218Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube