TQMxx0NB0xLDCRLG Dual 40V/60V MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMxx0NB0xLDCRLG Dual 40V/60V MOSFETs are automotive dual N-channel devices for 12V and 24V automotive systems. The family is offered in 40V and 60V options with low maximum RDS(on), low gate charge, and PDFN56U dual packaging for compact board-level switching designs. The MOSFETs feature AEC-Q101 qualification, 100% UIS and Rg testing, wettable-flank packages, and support for 175°C operating junction temperature.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 33A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs
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Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 10 mOhms 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 27A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs
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Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 60 V 27 A 25 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 33A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs
Datenblatt
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Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 35 A 14 mOhms 20 V 2.5 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 21A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs
Datenblatt
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: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 60 V 21 A 30 mOhms 20 V 2.5 V 8.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel