NTHL080N120SC1A

onsemi
863-NTHL080N120SC1A
NTHL080N120SC1A

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu onsemi NTHL080N120SC1A

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 13 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 20 ns
Serie: NTHL080N120SC1A
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi   verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.

M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

NTHL080N120SC1A n-Kanal-SiC-MOSFET

Der NTHL080N120SC1A n-Kanal-MOSFET von Onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Dieser MOSFET bietet niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe, die niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Der NTHL080N120SC1A MOSFET von Onsemi bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und kleinere Systemgröße. Typische Applikationen sind Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UVS), DC/DC-Wandler, Aufwärtswechselrichter, Blindleistungskompensationen (PFC), Photovoltaik (PV)-Ladung, Solarwechselrichter, Server-Stromversorgungen und Netzstromversorgungen.

Auf Lager: 1.185

Lagerbestand:
1.185 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1   Maximal: 40
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
11,90 € 11,90 €
7,20 € 72,00 €

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.