SRAM for Data Acquisition

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SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
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Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
104Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54

ISSI SRAM 2M (128Kx16) 12ns Async SRAM
Datenblatt
198Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
24Auf Lager
72erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
234Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
73Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
53Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
480Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS62WV25616EALL-55TLI
ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 256Kx16 55ns
Datenblatt
68Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 10ns LP Async SRAM A-Temp
Datenblatt
78Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Datenblatt
551Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel

ISSI SRAM 1Mb 5V 15ns 64K x 16 Async SRAM
Datenblatt
101Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 9Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
58Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 300 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 256K 32Kx8 25ns 5V Async SRAM
Datenblatt
298Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-28 Tube
ISSI IS62WV12816FBLL-45TLI
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
113Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Datenblatt
215Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Datenblatt
558Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Datenblatt
867Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Datenblatt
1.193Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
Datenblatt
449Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-14 Tube
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
Datenblatt
545Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tube