BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

Der Nexperia BXK9Q29-60A N-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Modus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT8002-3 (MLPAK33) SMD-Kunststoffgehäuse, der auf der Trench-MOSFET-Technologie basiert. Dieser N-Kanal-MOSFET ist logikpegelkompatibel, schnell schaltend und vollständig fahrzeugqualifiziert für AEC-Q101 bei 175 °C. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V, einen maximalen Spitzen-Drainstrom von 84 A und eine maximale Gesamtverlustleistung von 27 W aus. Dieser N-Kanal-MOSFET verfügt außerdem über einen typischen Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand von 23,7 mΩ, eine maximale nicht wiederholbare Drain-Source-Avalanche-Energie von 25 mJ und einen maximalen nicht wiederholbaren Avalanche-Strom von 15,8 A. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET ist EU/CN RoHS-konform. Typische Applikationen sind LED-Beleuchtung, Schaltungen und DC/DC-Wandlung.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
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Nexperia MOSFETs BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.6 mOhms 20 V 2.05 V 38 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 62 A 7 mOhms 20 V 2.05 V 23 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs BUK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
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Nexperia MOSFETs BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56
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Si SMD/SMT MLPAK56-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 91 A 4.5 mOhms 20 V 2.15 V 36 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel