UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ
onsemi UG4SC Combo-FETs von 750 V, 8,4 mΩ kombinieren einen 750-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Diese Schaltungsauslegung ermöglicht einen Schließerschalter und nutzt gleichzeitig den extrem niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(on)] sowie die Robustheit eines SiC-JFET mit Öffnerkontakt. Die UG4SC Combo-FET-Baureihe von onsemi eignet sich hervorragend für die Hochenergie-Schaltung im Schaltungsschutz. Für die Schaltmodus-Leistungsumwandlung bieten die Bauteile einen separaten Gate-Zugang zum JFET und MOSFET, wodurch die Drehzahlregelung verbessert und die Parallelschaltung mehrerer Bauteile vereinfacht wird.
