62 mm C- Baureihe TRENCHSTOP IGBT7-Module

Infineon Technologies 62 mm C Baureihe TRENCHSTOP™ IGBT7 Module bieten Hochleistungsdichte und einen positiven Temperaturkoeffizient. Dank der TRENCHSTOP IGBT7 Technologie und des Standardgehäuses eignen sich die Module ideal für Laufwerke, UPS Systeme und Nutzfahrzeuge in der Landwirtschaft. Die Infineon 62 mm C Baureihe TRENCHSTOP IGBT7-Module sind für Industrieapplikationen qualifiziert.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Verpackung/Gehäuse Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Technologie Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30Auf Lager
178,42 €
161,54 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module 32Auf Lager
141,38 €
136,70 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 26Auf Lager
141,38 €
136,70 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module 32Auf Lager
160,73 €
158,89 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 600 A dual IGBT module 32Auf Lager
160,73 €
158,89 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 800 A dual IGBT module 30Auf Lager
176,64 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 800 A dual IGBT module 28Auf Lager
176,64 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray