Die Leistungs-MOSFETS der EF-Serie SiHx28N60EF / SiHx33N60EF von Vishay sind 600V n-Kanal-Leistungs-MOSFETS mit einer schnellen Body-Diode, die für ZVS/Soft-Switching-PWM-Topologien wie phasenverschobene Brücken und LLC-Konverter-Halbbrücken entworfen wurden. Die Leistungs-MOSFETs der EF-Serie SiHx28N60EF / SiHx33N60EF erhöhen die Zuverlässigkeit in diesen Anwendungen durch die Bereitstellung einer 10x niedrigeren Qrr als Standard-MOSFETs. Auf diese Weise sind die Geräte in der Lage, die Fähigkeit zur Blockierung der vollen Durchlassspannung schneller wieder zu erlangen, was dabei hilft, Ausfall durch Durchzündungsfehler sowie thermische Überlastung zu vermeiden. Darüber hinaus führt das reduzierte Qrr zu niedrigeren Sperrerholzeitverlusten im Vergleich zu Standard-MOSFETs. Der sehr geringe On-Widerstand und die sehr geringe Gatter-Ladung der Geräte führen zu äußerst geringen Leitungs- und Schaltverlusten, was in einer Energieersparnis in Hochstrom, Hochleistungs- und Schaltmodus-Anwendungen resultiert. Die Serie basiert auf der Superjunction-Technologie der E-Serie, ist Avalanche-Energie-bewertet (UIS) und in TO-220-, TO-263-, TO-220F- und TO-247AC-Gehäusen erhältlich. Weitere Informationen
