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Diskrete Halbleiter
Transistoren
MOSFETs
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
SMD/SMT
Through Hole
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PowerPAK-SO-8
TO-220-3
TO-247AC-3
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N-Channel
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1 Channel
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45 V
≤
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208 A
≤
≥
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1.2 mOhms
≤
≥
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- 16 V, 20 V
≤
≥
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1.1 V
≤
≥
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167 nC
≤
≥
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- 55 C
≤
≥
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≥
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104 W
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Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
MOSFETs 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
+1 Bild
SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1:
2,41 €
3.174
Auf Lager
Herst. Teilenr.
SIR608DP-T1-RE3
Mouser-Teilenr.
78-SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
MOSFETs 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
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über Vishay Semiconductors vishay siliconix trenchfet gen iv mosfets
Datenblatt
3.174
Auf Lager
Cut-Tape
1
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10
1,37 €
100
1,07 €
500
0,869 €
Reel
3.000
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6.000
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Rolle
:
3.000
Details
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
45 V
208 A
1.2 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
167 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs N-CHANNEL 650V
SIHB24N65EFT5-GE3
Vishay Semiconductors
800:
2,70 €
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Neues Produkt
Herst. Teilenr.
SIHB24N65EFT5-GE3
Mouser-Teilenr.
78-SIHB24N65EFT5-GE3
Neues Produkt
Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
800
2,70 €
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Mult.:
800
Si
MOSFETs N-CHANNEL 650V
+1 Bild
SIHG28N65E-GE3
Vishay Semiconductors
500:
2,94 €
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Neues Produkt
Herst. Teilenr.
SIHG28N65E-GE3
Mouser-Teilenr.
78-SIHG28N65E-GE3
Neues Produkt
Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
500
2,94 €
1.000
2,78 €
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Min.:
500
Mult.:
500
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
MOSFETs N-CHANNEL 600V
SIHP33N60E-E3
Vishay Semiconductors
1.000:
2,55 €
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Neues Produkt
Herst. Teilenr.
SIHP33N60E-E3
Mouser-Teilenr.
78-SIHP33N60E-E3
Neues Produkt
Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
1.000
2,55 €
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Min.:
1.000
Mult.:
1.000
Details
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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