Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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Menge RoHS
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
252Auf Lager
2.880erwartet ab 11.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
202Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
149Auf Lager
2.500erwartet ab 07.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
480erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Datenblatt
471erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Datenblatt
956Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
551erwartet ab 20.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480