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RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden
ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden sind epitaktische planare Silizium-Dioden mit niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust. Diese ultraschnellen Dioden haben eine Spitzensperrspannung von 200 V und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis 175°C. Die RFNxRSM2S ultraschnellen Dioden bieten eine hohe Stromüberlastfähigkeit. Diese Dioden sind in einem TO-277A-Gehäuse untergebracht. Die RFNxRSM2S ultraschnellen Dioden sind RoHS-konform und ideal für die allgemeine Gleichrichtungsapplikationen.